1.1. Тонкопленочная технология изготовления керамических микрополосковых плат на подложках из поликора, 22ХС. Используется структура металлизации хром-медь-никель-золото с общей толщиной до 8 мкм. На платах реализуются элементы топологии с минимальными размерами 25 мкм, металлизированные отверстия с диаметром 0.2 мм, неметаллизированные отверстия произвольной формы и размеров, пленочные резисторы из сплава РС3710 с сопротивлением 50 и 100 Ом/кв. Обрабатываются подложки толщиной от 0.25 до 1 мм. Технология используется для создания активных и пассивных устройств в диапазоне до 18 ГГц.

1.2. Толстопленочная технология СВЧ и НЧ керамических плат на подложках из поликора, 22ХС, кварцевого и кремниевого стекла, керамик с высокой диэлектрической проницаемостью (20-100) и нитрида алюминия. Используются серебросодержащие пасты отечественного производства с толщиной металлизации 16-20 мкм. На платах реализуются элементы топологии с минимальными размерами 70 мкм, металлизированные отверстия с диаметром 0.2 мм, металлизированные торцы плат, неметаллизированные и металлизированые отверстия произвольной формы и размеров, толстопленочные резисторы с сопротивлением 1-10000 Ом. Обрабатываются подложки толщиной от 0.25 до 1 мм, для коммутационных плат реализуется до 7 слоев металлизации. Технология используется для создания пассивных СВЧ устройств в диапазоне частот до 18 ГГц.
1.3. Технология квазимонолитных СВЧ устройств на подложках из полуизолирующего арсенида галлия. Используются структуры металлизации титан-золото с толщиной металлизации 3 мкм (2 уровня). На подложках реализуются элементы топологии с минимальными размерами 5 мкм, металлизированные отверстия с диаметром 0.05 мм, пленочные резисторы с сопротивлением 20 Ом/квадрат, сосредоточенные конденсаторы типа металл-диэлектрик-металл с удельной емкостью 200 пФ/кв.мм и пробивным напряжением 100 В, соединения типа "воздушный мост". Реализуются кристаллы толщиной от 0.1 до 0.25 мм с точностью габаитных размеров 0.02 мм. Технология используется для создания пассивных СВЧ устройств и их элементов (например - плат межкаскадных согласующих цепей с сосредоточенными постоянными для ГИС мощных усилителей) в диапазоне частот до 18 ГГц

1.4. Технология автоматизированного проектирования монолитных интегральных схем СВЧ диапазона. В институте выполнен ряд совместных с НПП "Исток" работ, в которых разрабатывались и исследовались характеристики арсенидгаллиевых МИС широкополосных усилителей мощности и их элементов. В подразделениях ЦНИРТИ проводилась разработка и моделирование транзисторных структур, пассивных элементов МИС, создание их математических моделей, разработка схем и топологий МИС и выдача ТЗ в НПП "Исток" на выпуск конструкторской и технологической документации, изготовление и испытания МИС.

1.5. Технология многослойных СВЧ плат на основе керамики низкотемпературного обжига (LTCC) фирмы DuPont, изготавливаемых на стандартном оборудовании толстопленочной технологии. Позволяет изготавливать обьемные СВЧ схемы и микрокорпуса ППМ с малыми потерями, числом слоев до 20, переходными металлизированными отверстиями диаметром 0.1 мм. Технология отрабатывается на предприятии для последующего использования в разработках ППМ для АФАР.

1.6. Технология сборки гибридно-интегральных схем с использованием кристаллов дискретных полупроводниковых приборов и МИС. Используются методы установки кристаллов на платы и основания приклеиванием токопроводящими клеями и эвтектической пайкой припоями золото-олово. Присоединение проволочных выводов диаметрами от 15 до 50 мкм к микросхемам и полупроводниковым приборам выполняется методами термокомпрессионной, термозвуковой (для кристаллов из арсенида галлия), ультразвуковой (для кремниевых ИС) и односторонней контактной сварки (для керамических плат).

1.7. Освоены и используются также традиционные технологии герметизации модулей СВЧ с заполнением обьема инертным газом при избыточном давлении, электротермотренировки и т.д.

1.8. Мощность лабораторно-производственного участка микроэлектроники для выполнения НИОКР и поставок модулей СВЧ малыми партиями составляет около 300 сложных модулей в год (2000 - 3000 условных ГИС). При необходимости производства больших количеств будет производиться передача КД на серийное производство, либо расширение участка, площади и резервное оборудование для которого имеется.
2.1. Разработка гибридно-интегральных, квазимонолитных и монолитных СВЧ устройств и элементов для усилителей мощности, ППМ, гетеродинных и других устройств аппаратуры РЭП и РТР. Освоена разработка необходимой элементной базы в диапазонах частот 1-2, 2-4, 2-6, 4-8, 8-12, 4-12 ГГц, осваиваются устройства диапазонов 8-18, 6-18 и 4.5-18 ГГц. Технический и технологический уровень разработок ГИС и МИС находится на уровне ведущих предприятий электронной промышленности России.

2.2. Исследования в области методов измерения параметров нелинейных моделей MESFET, HFET и pHEMT транзисторов, разработка автоматизированного оборудования для определения параметров моделей на основе векторного анализатора цепей

2.3. Исследования в области методов проектирования мощных широкополосных усилителей мощности, оптимального применения систем САПР микроволновых устройств, моделирования параметров сосредоточенных элементов монолитных схем СВЧ;

2.4. Исследования и разработки в области создания широкополосных передатчиков на основе многолучевых и фазированных решеток с широким сектором сканирования луча, имеющих перекрытие по частоте более 3:1 с энергопотенциалом 30-40 дБ/Вт, создание модулей для таких передатчиков.
2.5. Разработка широкополосных (с перекрытием по частоте 3:1 и 4:1) пассивных СВЧ устройств (сумматоры мощности, квадратурные и противофазные мосты, фильтры, аттенюаторы и т.д.)

2.6.Создание толстопленочных и объемных интегральных схем СВЧ диапазона.
2.7. Разработка и внедрение многоканальных интегрированных приемно-пеленгационных устройств на основе ФАР для аппаратуры РТР.