СВЧ микроэлектроника | Разработка гибридно-интегральных широкополосных усилителей мощности на MESFET и HFET транзисторах в диапазонах 1-4, 2-6, 4-8, 4-12 и 6-18 ГГц с мощностями 0.3

Технические характеристики разработанных в ЦНИТРИ усилителей мощности.

*Тип*	*ΔF,* *ГГц*	*P-1, Вт*	*Pнас,* Вт	*Кр,* дБ
ПМ24-С4	2-4	5	9.0-12.0	35
С8-50	2-4	18	20.0-30.0	36
ПМ26	2-6	4	6.0-10,0	30
«Карат-3»	4-8	2.8	4.5-6.0	31
А1004	8-12	2	3.5-5.0	35
А412П	4-12	1	1.65-2.5	40
С18603А	6-18	0,3	0.45-0.5	20

Одним из приборов, характеризующих технический уровень разработок, является широкополосный усилитель С8-50, обеспечивающий в диапазоне частот 2-4 ГГц типовую выходную мощность Р-1 = 20 Вт, мощность насыщения более 25 Вт и усиление 36 дБ с неравномерностью менее 2 дБ.